Publication details
Abstracts and keywords
Sposób polega na tym, że nasycony roztwór ciekły czteroskładnikowych związków półprzewodnikowych AIIIBV o równoważnej mu przerwie energetycznej większej od przerwy energetycznej arsenku galu, umieszczony jest w pierwszej fazie nad pionowo ustawionym podłożem, a następnie ześlizguje się po nim przy temperaturze nasycenia i wytwarza przy tym cienką warstwę przejściową o strukturze gradientowego okna optycznego dla transmisji światła do obszaru ładunku przestrzennego elementu fotowoltaicznego. Urządzenie składa się z nieruchomych części oraz ruchomego slidera, przy czym komory (2, 9) roztworowe umieszczone są jedna nad drugą i rozdzielone przesuwnym sliderem (5) z komorą (8) roztworową, w której pionowo usytuowane jest podłoże (7) monokrystaliczne wchodzące poprzez przesuw slidera (5) w kontakt z roztworem w komorze (2) ześlizgujący się swobodnie po jego powierzchni do komory (9) roztworowej.