Sposób wytwarzania obszarów izolacji pionowej w krzemowych strukturach półprzewodnikowych

Abstract

Sposób wytwarzania obszarów izolacji pionowej w krzemowych strukturach półprzewodnikowych charakteryzuje się tym, że wykonuje się implantację jonów lekkich, korzystnie jonów neonu Ne+ o dawkach rzędu 1014 - 1016 cm-2, korzystnie 1,2•1015 cm-2 i energiach z zakresu 400-800keV, korzystnie 600keV, do płytki podłożowej z krzemu o temperaturze z zakresu 150-300°C, korzystnie 250°C, poddanej wcześniej wszystkim operacjom technologicznym wymaganym dla wykonania układu mikroelektronicznego, a następnie przeprowadza się izotermiczne wygrzewanie stabilizujące w temperaturze od 500°C do 600°C, korzystnie 550°C, w czasie 10-15 minut, korzystnie 15 minut.