Sposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych

Abstract

Sposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych w układach scalonych, polegający na umieszczeniu dielektryka między okładkami, z których jedna jest domieszkowaną warstwą półprzewodnika, a druga jest warstwą metalu naniesionego na dielektryki, charakteryzuje się tym, że implantuje się płytkę krzemową jonami tej samej domieszki jaką była domieszkowana płytka, dawką 1015-1016<$Ecdot>cm-2 wygrzewa się ją w temperaturze 1000°-1050°C przez 10-20 minut i implantuje się domieszką neutralną: azotem, krzemem lub argonem z energiami dobranymi tak, aby zasięg jonów był mniejszy niż wytworzona poprzednio warstwa o podwyższonej przewodności, a następnie wygrzewa się płytkę w temperaturze 380°-450°C w czasie 10-20 minut.