Sposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych

Alternative title
Method of creation of semiconductor capacitors in integrated circuits
Type
Patent
Subtype
Invention
Authors/Creators
;;;;
Publisher
Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Date
1994
Weblink
https://ewyszukiwarka.pue.uprp.gov.pl/search/pwp-details/P.305824
Abstract PL
Sposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych w układach scalonych, polegający na umieszczeniu dielektryka między okładkami, z których jedna jest domieszkowaną warstwą półprzewodnika, a druga jest warstwą metalu naniesionego na dielektryki, charakteryzuje się tym, że implantuje się płytkę krzemową jonami tej samej domieszki jaką była domieszkowana płytka, dawką 1015-1016<$Ecdot>cm-2 wygrzewa się ją w temperaturze 1000°-1050°C przez 10-20 minut i implantuje się domieszką neutralną: azotem, krzemem lub argonem z energiami dobranymi tak, aby zasięg jonów był mniejszy niż wytworzona poprzednio warstwa o podwyższonej przewodności, a następnie wygrzewa się płytkę w temperaturze 380°-450°C w czasie 10-20 minut.
Date of filing with the Polish Patent Office or with the competent office abroad
1994-11-10
Date of publication in ‘WUP’ or equivalent foreign bulletin
1998-09-30
Exclusive right number
Pat.174710
Statistics
1Views
Żukowski, P., Partyka, J., Węgierek, P., Kantorow, S., & Szostak, J. (1994). Sposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych. Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej. https://hdl.handle.net/20.500.14629/17448
No Thumbnail Available
Licence
Accessibility issue?Request a WCAG-compliant file
Publication available in collections:
Inventions