Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO₂

Abstract

Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO2 polega na tym, że warstwę (4) hoduje się na monokrystalicznym podłożu (1) Si(100), utlenionym w czasie 1 h w atmosferze suchego tlenu przy temperaturze 900°C, wynikiem czego jest wytworzenie warstwy (2) SiO2 o grubości 1000 Ć, w której po fotolitograficznym wytrawieniu siatki wzajemnie równoległych, szerokich na 10 Šm i odległych od siebie o 100 Šm okien (3), trawionych w ciągu 60 min. w roztworze NH4F:H2O2, za pomocą metody epitaksji z fazy ciekłej z roztworu Sn:Si, nasyconego w temperaturze 920°C wytwarza się warstwy (4) Si krawędziowe, rozwijające się nad powierzchnią SiO2 prostopadle względem siatki otwartych okien, łączących się ze sobą bezdyslokacyjnie w przestrzeni międzyokiennej.