Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO₂

Alternative title
Method of obtaining flat edging silicon layers on SiO₂ surfaces
Type
Patent
Subtype
Invention
Authors/Creators
Publisher
Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Date
2000
Weblink
https://ewyszukiwarka.pue.uprp.gov.pl/search/pwp-details/P.339396
Abstract PL
Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO2 polega na tym, że warstwę (4) hoduje się na monokrystalicznym podłożu (1) Si(100), utlenionym w czasie 1 h w atmosferze suchego tlenu przy temperaturze 900°C, wynikiem czego jest wytworzenie warstwy (2) SiO2 o grubości 1000 Ć, w której po fotolitograficznym wytrawieniu siatki wzajemnie równoległych, szerokich na 10 Šm i odległych od siebie o 100 Šm okien (3), trawionych w ciągu 60 min. w roztworze NH4F:H2O2, za pomocą metody epitaksji z fazy ciekłej z roztworu Sn:Si, nasyconego w temperaturze 920°C wytwarza się warstwy (4) Si krawędziowe, rozwijające się nad powierzchnią SiO2 prostopadle względem siatki otwartych okien, łączących się ze sobą bezdyslokacyjnie w przestrzeni międzyokiennej.
Date of filing with the Polish Patent Office or with the competent office abroad
2000-03-31
Date of publication in ‘WUP’ or equivalent foreign bulletin
2007-06-29
Exclusive right number
Pat.194459
Statistics
1Views
3Downloads
Olchowik, J. M. (2000). Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO₂. Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej. https://hdl.handle.net/20.500.14629/17042
Loading...
Thumbnail Image
Files
miniaturka.jpg
JPG 244.75 KB
Licence
Accessibility issue?Request a WCAG-compliant file
Publication available in collections:
Inventions