Sposób wytwarzania monolitycznych lateralnych warstw krzemowych na multikrystalicznych podłożach Si

Alternative title
The manner of production of monolythic lateral silicone layers on multicrystalline Si substrates
Type
Patent
Subtype
Invention
Authors/Creators
Publisher
Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Date
2007
Weblink
https://ewyszukiwarka.pue.uprp.gov.pl/search/pwp-details/P.382359
Abstract PL
Sposób wytwarzania monolitycznych lateralnych warstw krzemowych na multikrystalicznych podłożach Si dla zastosowań fotowoltaicznych polega na tym, że podłoża z multikrystalicznego krzemu utlenia się, tworząc na jego powierzchni cienką warstwę SiO2, w której fotolitograficznie wytwarza się siatkę otwartych okien krzemowych i tak przygotowaną powierzchnię wprowadza się w atmosferze argonu w kontakt z nasyconą atomami krzemu roztopioną cyną, znajdującą się w gradientowym polu temperaturowym o malejącej temperaturze w kierunku podłoża, stwarzając w ten sposób dogodne warunki dla dostarczania atomów Si z roztworu Sn do otwartej w SiO2 siatki okien krzemowych i rozwijania lateralnego wzrostu monolitycznej krzemowej warstwy.
Date of filing with the Polish Patent Office or with the competent office abroad
2007-05-04
Date of publication in ‘WUP’ or equivalent foreign bulletin
2012-11-30
Exclusive right number
Pat.212768
Statistics
4Views
Olchowik, J. M. (2007). Sposób wytwarzania monolitycznych lateralnych warstw krzemowych na multikrystalicznych podłożach Si. Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej. https://hdl.handle.net/20.500.14629/16989
No Thumbnail Available
Licence
Accessibility issue?Request a WCAG-compliant file
Publication available in collections:
Inventions