Sposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych

Alternative title
Method of making semiconductor-type capacitors of widened operational frequency range
Type
Patent
Subtype
Invention
Authors/Creators
;;
Publisher
Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Date
1998
Weblink
https://ewyszukiwarka.pue.uprp.gov.pl/search/pwp-details/P.327483
Abstract PL
Sposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych o poszerzonym częstotliwościowym zakresie pracy, polegający na umieszczeniu dielektryka, uzyskanego poprzez implantację neutrealnej domieszki, korzystnie neonu, między okładkami, z których jedna jest domieszkowaną warstwą półprzewodnika, a druga warstwą metalu naniesionego na dielektryk, charakteryzuje się tym, że podwójnie implantowaną płytkę krzemową wygrzewa się impulsowo w temperaturze 700 - 800° w czasie 1 sekundy, a następnie poddaje się wygrzewaniu w czasie 15 minut w temperaturze około 350°C.
Date of filing with the Polish Patent Office or with the competent office abroad
1998-07-13
Date of publication in ‘WUP’ or equivalent foreign bulletin
2005-12-30
Exclusive right number
Pat.190454
Statistics
1Views
Żukowski, P., Partyka, J., & Węgierek, P. (1998). Sposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych. Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej. https://hdl.handle.net/20.500.14629/17435
No Thumbnail Available
Licence
Accessibility issue?Request a WCAG-compliant file
Publication available in collections:
Inventions