Sposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych

Abstract

Sposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych o poszerzonym częstotliwościowym zakresie pracy, polegający na umieszczeniu dielektryka, uzyskanego poprzez implantację neutrealnej domieszki, korzystnie neonu, między okładkami, z których jedna jest domieszkowaną warstwą półprzewodnika, a druga warstwą metalu naniesionego na dielektryk, charakteryzuje się tym, że podwójnie implantowaną płytkę krzemową wygrzewa się impulsowo w temperaturze 700 - 800° w czasie 1 sekundy, a następnie poddaje się wygrzewaniu w czasie 15 minut w temperaturze około 350°C.