Sposób wytwarzania obszarów izolacji pionowej w układach scalonych

Alternative title
Method for making vertical insulating areas in the integrated circuits
Type
Patent
Subtype
Invention
Authors/Creators
;;;
Publisher
Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Date
2006
Weblink
https://ewyszukiwarka.pue.uprp.gov.pl/search/pwp-details/P.381107
Abstract PL
Sposób wytwarzania obszarów izolacji pionowej w układach scalonych wykonanych na podłożu z arsenku galu charakteryzuje się tym, że wykonuje się polienergetyczną implantację jonów lekkich, korzystnie jonów wodoru H+ o dawkach rzędu 1012- 1015cm-2, korzystnie 1014cm-2 i energiach z zakresu 50-400keV, do płytki z arsenku galu poddanej wcześniej wszystkim operacjom technologicznym wymaganym dla wykonania układu scalonego, a następnie przeprowadza się izotermiczne wygrzewanie stabilizujące w temperaturze od 200°C do 300°C, korzystnie 250°C, w czasie 10-15 minut, korzystnie 15 minut.
Date of filing with the Polish Patent Office or with the competent office abroad
2006-11-21
Date of publication in ‘WUP’ or equivalent foreign bulletin
2012-11-30
Exclusive right number
Pat.212829
Statistics
2Views
2Downloads
Żukowski, P., Węgierek, P., Partyka, J., & Kołtunowicz, T. (2006). Sposób wytwarzania obszarów izolacji pionowej w układach scalonych. Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej. https://hdl.handle.net/20.500.14629/17014
Loading...
Thumbnail Image
Files
miniaturka.jpg
JPG 187.57 KB
Licence
Accessibility issue?Request a WCAG-compliant file
Publication available in collections:
Inventions