Sposób wytwarzania obszarów izolacji pionowej w układach scalonych

Abstract

Sposób wytwarzania obszarów izolacji pionowej w układach scalonych wykonanych na podłożu z arsenku galu charakteryzuje się tym, że wykonuje się polienergetyczną implantację jonów lekkich, korzystnie jonów wodoru H+ o dawkach rzędu 1012- 1015cm-2, korzystnie 1014cm-2 i energiach z zakresu 50-400keV, do płytki z arsenku galu poddanej wcześniej wszystkim operacjom technologicznym wymaganym dla wykonania układu scalonego, a następnie przeprowadza się izotermiczne wygrzewanie stabilizujące w temperaturze od 200°C do 300°C, korzystnie 250°C, w czasie 10-15 minut, korzystnie 15 minut.