Sposób zwiększenia powierzchni aktywnej złącza p-n cienkowarstwowych baterii słonecznych wytwarzanych metodą sputeringu plazmowego

Abstract

Wynalazek dotyczy sposobu zwiększenia powierzchni aktywnej złącza p-n cienkowarstwowych baterii słonecznych wytwarzanych metodą sputeringu plazmowego, który polega na wsunięciu przy końcowym etapie formowania z rozpylanego materiału katody (2) bazy typu p półprzewodnikowego fotoogniwa, równolegle nad jej powierzchnię (5) przesłony (4) ze złotej siatki, zasilanej impulsowo poprzez elektrodę (3) napięciem o regulowanym współczynniku wypełnienia a następnie, po zakończeniu procesu tworzenia bazy, wysunięciu jej znad powierzchni warstwy i zamienieniu rozpylanego materiału katody na półprzewodnik typu n, stanowiący emiter fotoogniwa, przy czym katoda (2) i anoda (7) umieszczone są w komorze próżniowej (1) i zasilane są wysokim napięciem za pomocą zasilacza (6).