Sposób wytwarzania krzemowego ogniwa fotowoltaicznego z dodatkowym poziomem energetycznym w paśmie zabronionym

Alternative title
Method of producing a silicon photovoltaic cell with additional energy level in the bandgap
Type
Patent
Subtype
Invention
Authors/Creators
;
Publisher
Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
Date
2022
Weblink
https://ewyszukiwarka.pue.uprp.gov.pl/search/pwp-details/P.443344
Abstract PL
Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania krzemowego ogniwa fotowoltaicznego z dodatkowym poziomem energetycznym (3) w paśmie zabronionym półprzewodnika (8), składającego się z warstwy krzemu typu p (2) i warstwy krzemu typu n (4), a także elektrody dolnej (1) i górnej (6) wraz z warstwą pasywującą powierzchnię i powłoką antyrefleksyjną (5), w którym teksturyzuje się, domieszkuje się metodą implantacji jonowej, wygrzewa się poimplantacyjnie i pasywuje, a następnie osadza się powłokę antyrefleksyjną i nanosi się elektrody oraz utwardza w piecu. Istotą sposobu jest to, że warstwę krzemu typu n (4) domieszkowaną antymonem, o rezystywności ρ od 0,01 Ω x cm, do 10 Ω x cm, korzystnie 0,01  Ω x cm, implantuje się jonami neonu o dawce D od 10 x 1013 cm-2 do 4,0 x 1014 cm-2, korzystnie 1,5 x 1014 cm-2 i energii E = 100 keV, a następnie wygrzewa izochronicznie w temperaturze Ta = 598 K, w czasie t = 15 min.
Date of filing with the Polish Patent Office or with the competent office abroad
2022-12-30
Date of publication in ‘WUP’ or equivalent foreign bulletin
2024-08-26
Exclusive right number
Pat.245553
Statistics
1Views
16Downloads
Węgierek, P., & Pastuszak, J. (2022). Sposób wytwarzania krzemowego ogniwa fotowoltaicznego z dodatkowym poziomem energetycznym w paśmie zabronionym. Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej. https://hdl.handle.net/20.500.14629/17321
Loading...
Thumbnail Image
Files
miniaturka.jpg
JPG 340.17 KB
Licence
Accessibility issue?Request a WCAG-compliant file
Publication available in collections:
Inventions