Sposób wytwarzania krzemowego ogniwa fotowoltaicznego z dodatkowym poziomem energetycznym w paśmie zabronionym
| dc.abstract.pl | Przedmiotem zgłoszenia jest sposób wytwarzania krzemowego ogniwa fotowoltaicznego z dodatkowym poziomem energetycznym (3) w paśmie zabronionym półprzewodnika (8), składającego się z warstwy krzemu typu p (2) i warstwy krzemu typu n (4), a także elektrody dolnej (1) i górnej (6) wraz z warstwą pasywującą powierzchnię i powłoką antyrefleksyjną (5), w którym teksturyzuje się, domieszkuje się metodą implantacji jonowej, wygrzewa się poimplantacyjnie i pasywuje, a następnie osadza się powłokę antyrefleksyjną i nanosi się elektrody oraz utwardza w piecu. Istotą sposobu jest to, że warstwę krzemu typu n (4) domieszkowaną antymonem, o rezystywności ρ od 0,01 Ω x cm, do 10 Ω x cm, korzystnie 0,01 Ω x cm, implantuje się jonami neonu o dawce D od 10 x 1013 cm-2 do 4,0 x 1014 cm-2, korzystnie 1,5 x 1014 cm-2 i energii E = 100 keV, a następnie wygrzewa izochronicznie w temperaturze Ta = 598 K, w czasie t = 15 min. | |
| dc.affiliation | POLITECHNIKA LUBELSKA | |
| dc.contributor.author | Węgierek, Paweł | |
| dc.contributor.author | Pastuszak, Justyna | |
| dc.date.accessioned | 2024-12-19T13:08:29Z | |
| dc.date.application | 2022-12-30 | |
| dc.date.available | 2024-12-19T13:08:29Z | |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.date.publicationbup | 2023-06-19 | |
| dc.date.publicationwup | 2024-08-26 | |
| dc.description.classification | ||
| dc.description.classification | ||
| dc.description.classification | ||
| dc.identifier.bup | BUP 25/2023 | |
| dc.identifier.patent | Pat.245553 | |
| dc.identifier.publication | P.443344 | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.14629/17321 | |
| dc.identifier.weblink | https://ewyszukiwarka.pue.uprp.gov.pl/search/pwp-details/P.443344 | |
| dc.identifier.wup | WUP 35/2024 | |
| dc.language | polski | |
| dc.patent.country | PL | |
| dc.patent.name | Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej | |
| dc.publisher | Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej | |
| dc.subtype | Invention | |
| dc.title | Sposób wytwarzania krzemowego ogniwa fotowoltaicznego z dodatkowym poziomem energetycznym w paśmie zabronionym | |
| dc.title.alternative | Method of producing a silicon photovoltaic cell with additional energy level in the bandgap | |
| dc.type | Patent | |
| dspace.entity.type | Publication | |
| Files | ||
| Publication available in collections: |