Sposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych

dc.abstract.plSposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych w układach scalonych, polegający na umieszczeniu dielektryka między okładkami, z których jedna jest domieszkowaną warstwą półprzewodnika, a druga jest warstwą metalu naniesionego na dielektryki, charakteryzuje się tym, że implantuje się płytkę krzemową jonami tej samej domieszki jaką była domieszkowana płytka, dawką 1015-1016<$Ecdot>cm-2 wygrzewa się ją w temperaturze 1000°-1050°C przez 10-20 minut i implantuje się domieszką neutralną: azotem, krzemem lub argonem z energiami dobranymi tak, aby zasięg jonów był mniejszy niż wytworzona poprzednio warstwa o podwyższonej przewodności, a następnie wygrzewa się płytkę w temperaturze 380°-450°C w czasie 10-20 minut.
dc.affiliationPOLITECHNIKA LUBELSKA
dc.contributor.authorŻukowski, Paweł
dc.contributor.authorPartyka, Janusz
dc.contributor.authorWęgierek, Paweł
dc.contributor.authorKantorow, Siergiej
dc.contributor.authorSzostak, Jerzy
dc.date.accessioned2024-12-19T13:10:09Z
dc.date.application1994-11-10
dc.date.available2024-12-19T13:10:09Z
dc.date.issued1994
dc.date.publicationbup1996-05-13
dc.date.publicationwup1998-09-30
dc.description.classificationH01G 4/12 19950101AFI19980331BHPL
dc.identifier.bupBUP 10/1996
dc.identifier.patentPat.174710
dc.identifier.publicationP.305824
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14629/17448
dc.identifier.weblinkhttps://ewyszukiwarka.pue.uprp.gov.pl/search/pwp-details/P.305824
dc.identifier.wupWUP 09/1998
dc.languagepolski
dc.patent.countryPL
dc.patent.nameUrząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
dc.publisherUrząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
dc.subtypeInvention
dc.titleSposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych
dc.title.alternativeMethod of creation of semiconductor capacitors in integrated circuits
dc.typePatent
dspace.entity.typePublication
Files
Publication available in collections:
Inventions