Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO₂
dc.abstract.pl | Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO2 polega na tym, że warstwę (4) hoduje się na monokrystalicznym podłożu (1) Si(100), utlenionym w czasie 1 h w atmosferze suchego tlenu przy temperaturze 900°C, wynikiem czego jest wytworzenie warstwy (2) SiO2 o grubości 1000 Ć, w której po fotolitograficznym wytrawieniu siatki wzajemnie równoległych, szerokich na 10 Šm i odległych od siebie o 100 Šm okien (3), trawionych w ciągu 60 min. w roztworze NH4F:H2 | |
dc.affiliation | POLITECHNIKA LUBELSKA | |
dc.contributor.author | Olchowik, Jan Marian | |
dc.date.accessioned | 2024-12-19T13:04:47Z | |
dc.date.application | 2000-03-31 | |
dc.date.available | 2024-12-19T13:04:47Z | |
dc.date.issued | 2000 | |
dc.date.publicationbup | 2001-10-08 | |
dc.date.publicationwup | 2007-06-29 | |
dc.description.classification | C01B 33/02 20060101AFI20061222BHPL | |
dc.description.classification | C23C 14/16 20060101ALI20061222BHPL | |
dc.description.classification | C23C 14/04 20060101ALI20061222BHPL | |
dc.identifier.bup | BUP 21/2001 | |
dc.identifier.patent | Pat.194459 | |
dc.identifier.publication | P.339396 | |
dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/20.500.14629/17042 | |
dc.identifier.weblink | https://ewyszukiwarka.pue.uprp.gov.pl/search/pwp-details/P.339396 | |
dc.identifier.wup | WUP 06/2007 | |
dc.language | polski | |
dc.patent.country | PL | |
dc.patent.name | Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej | |
dc.publisher | Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej | |
dc.subtype | Invention | |
dc.title | Sposób wytwarzania płaskich krzemowych warstw krawędziowych na powierzchni SiO₂ | |
dc.title.alternative | Method of obtaining flat edging silicon layers on SiO₂ surfaces | |
dc.type | Patent | |
dspace.entity.type | Publication | |
Files | ||
Publication available in collections: |