Sposób wytwarzania monolitycznych lateralnych warstw krzemowych na multikrystalicznych podłożach Si

dc.abstract.plSposób wytwarzania monolitycznych lateralnych warstw krzemowych na multikrystalicznych podłożach Si dla zastosowań fotowoltaicznych polega na tym, że podłoża z multikrystalicznego krzemu utlenia się, tworząc na jego powierzchni cienką warstwę SiO2, w której fotolitograficznie wytwarza się siatkę otwartych okien krzemowych i tak przygotowaną powierzchnię wprowadza się w atmosferze argonu w kontakt z nasyconą atomami krzemu roztopioną cyną, znajdującą się w gradientowym polu temperaturowym o malejącej temperaturze w kierunku podłoża, stwarzając w ten sposób dogodne warunki dla dostarczania atomów Si z roztworu Sn do otwartej w SiO2 siatki okien krzemowych i rozwijania lateralnego wzrostu monolitycznej krzemowej warstwy.
dc.affiliationPOLITECHNIKA LUBELSKA
dc.contributor.authorOlchowik, Jan Marian
dc.date.accessioned2024-12-19T13:04:05Z
dc.date.application2007-05-04
dc.date.available2024-12-19T13:04:05Z
dc.date.issued2007
dc.date.publicationbup2008-11-10
dc.date.publicationwup2012-11-30
dc.description.classificationH01L 21/00 20060101AFI20070507BHPL
dc.identifier.bupBUP 23/2008
dc.identifier.patentPat.212768
dc.identifier.publicationP.382359
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14629/16989
dc.identifier.weblinkhttps://ewyszukiwarka.pue.uprp.gov.pl/search/pwp-details/P.382359
dc.identifier.wupWUP 11/2012
dc.languagepolski
dc.patent.countryPL
dc.patent.nameUrząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
dc.publisherUrząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
dc.subtypeInvention
dc.titleSposób wytwarzania monolitycznych lateralnych warstw krzemowych na multikrystalicznych podłożach Si
dc.title.alternativeThe manner of production of monolythic lateral silicone layers on multicrystalline Si substrates
dc.typePatent
dspace.entity.typePublication
Files
Publication available in collections:
Inventions