Sposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych

dc.abstract.plSposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych o poszerzonym częstotliwościowym zakresie pracy, polegający na umieszczeniu dielektryka, uzyskanego poprzez implantację neutrealnej domieszki, korzystnie neonu, między okładkami, z których jedna jest domieszkowaną warstwą półprzewodnika, a druga warstwą metalu naniesionego na dielektryk, charakteryzuje się tym, że podwójnie implantowaną płytkę krzemową wygrzewa się impulsowo w temperaturze 700 - 800° w czasie 1 sekundy, a następnie poddaje się wygrzewaniu w czasie 15 minut w temperaturze około 350°C.
dc.affiliationPOLITECHNIKA LUBELSKA
dc.contributor.authorŻukowski, Paweł
dc.contributor.authorPartyka, Janusz
dc.contributor.authorWęgierek, Paweł
dc.date.accessioned2024-12-19T13:09:58Z
dc.date.application1998-07-13
dc.date.available2024-12-19T13:09:58Z
dc.date.issued1998
dc.date.publicationbup2000-01-17
dc.date.publicationwup2005-12-30
dc.description.classificationH01G 4/33 20000101AFI20050623BHPL
dc.identifier.bupBUP 02/2000
dc.identifier.patentPat.190454
dc.identifier.publicationP.327483
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.14629/17435
dc.identifier.weblinkhttps://ewyszukiwarka.pue.uprp.gov.pl/search/pwp-details/P.327483
dc.identifier.wupWUP 12/2005
dc.languagepolski
dc.patent.countryPL
dc.patent.nameUrząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
dc.publisherUrząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
dc.subtypeInvention
dc.titleSposób wytwarzania kondensatorów półprzewodnikowych
dc.title.alternativeMethod of making semiconductor-type capacitors of widened operational frequency range
dc.typePatent
dspace.entity.typePublication
Files
Publication available in collections:
Inventions